找了半天，算是找到了hy57v561620ct-h 的相關資料。 1、HY代表是現代的產品 2、內存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM) 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V，U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref64=64Mbits、8K Ref65=64Mbits、4K Ref128=128Mbits、8K Ref129=128Mbits、4K Ref256=256Mbits、16K Ref257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係 7、I/O界面：
1 :SSTL_3、 2 :SSTL_
2 8、芯片內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、內存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A 現代內SDRAM 3.3V工作電壓 256M 8K刷新 16bit 位寬 4bank 133Mhz cl＝3 單面應該是128M
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