ev半導體是第三代半導體。
國際上一般把禁帶寬度(Eg)大於或等於 2.3 電子伏特(eV)的半導體材料稱之為第三代半導體材料,常見的第三代半導體材料包括:碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅、氮化鋁等。
其中,從SiC和GaN技術發展相對成熟,已經開始產業化應用,而金剛石、氧化鋅、氮化鋁等材料尚處於研發起步階段。
EV是價帶,是這個能量系統中比較低的能量狀態,小於或等於這個能量狀態的電子是被某個原子束縛住的,是形成了價鍵的。所以叫價帶。