二極管的Ubr是指反向擊穿電壓。
半導體二極管的參數:
1、最大整流電流If:二極管長期連續工作時,允許通過二極管的最大整流電流的平均值(PN結正向偏置特性)。
2、反向擊穿電壓Ubr:二極管反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓。
3、最大反向工作電壓Urm:為安全起見,在實際工作時, 最大反向工作電壓Urm一般只按反向擊穿電壓Ubr的一半計算。
4、反向電流Ir:反向電壓小於最大反向工作電壓時的它的電流。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級鍺二極管在微安(uA)級。硅二極管的反向特性比鍺好些。
5、正向壓降Uf:在規定的正向電流下,二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下,約0.6~0.8V鍺二極管約0.2~0.3V。
6、動態電阻rd:反映了二極管正向特性曲線斜率的倒數。顯然,rd與工作電流的大小有關,即rd=△Vf/△If。
UBR是英文breaking reverse voltage的縮寫,中文意思是可使毀壞的反向電壓,就是反向擊穿電壓。
二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)製成的一種電子器件。它具有單向導電性能,即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。