90納米。
封裝光刻機在國內市場已佔據不小的份額，這是國產光刻機取得的進步。
光刻機的最小分辨率、生產效率、良率均在不斷髮展。 光刻機的最小分辨率由公示 R=kλ/NA，其中 R 代表可分辨的最小尺寸，對於光刻技術來説R 越小越好，k 是工藝常數，λ 是光刻機所用光源的波長。
光刻機最小尺寸
當然是EUV啦，目前fab在用的3400。一維線條是間距24nm，密集孔洞是間距28nm。對比過去DUV極限是間距76nm，效果拔羣
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