dfb激光器芯片結構

DFB相比於常見的FP激光器不同之處就是它在外延處就植入了布拉格光柵，在F_P諧振腔內既可形成選模結構，實現完全單模工作。

在外延的階段，中間插入光柵製造步驟，然後再接着二次外延生長。

外延生長的温度比較高，六七百攝氏度都正常，因此這些光柵溝槽會發生回熔，光柵就會變形，甚至完全消失，整個芯片的光柵就會變得殘缺不全，激光器的內量子效率降低。

DFB激光器的震盪頻率偏離Bragg頻率，其閾值增益較高。