用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近於無窮大，説明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。
可控硅使用中損壞的最大特點是內部短路，三個腳全部短路。此故障率90%以上，其他故障為老化損耗性質的，一般表現為控制電壓發生偏移、漏電流增大、熱耗高等
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