Rw為擴散電阻。排列通過晶體提供圓錐形電流分佈,因而得名為“擴散電阻”。此類排列的主要優點在於,傳感器電阻對製造公差的依賴程度有顯著降低。靠近金屬化孔的區域決定了電阻的主要部分,因此電阻的構建獨立於硅晶體的尺寸公差。
擴散到金屬化表層下面晶體內的n+區域則降低了金屬-半導體結點處阻擋層的效應。