伏特的材質

伏特材質為寬禁帶半導體材料材質。

電子伏特（eV）的半導體材料稱為寬禁帶半導體材料。

寬禁帶半導體材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，這些半導體材料也稱為第三代半導體材料。與以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體相比，寬禁帶半導體的優點更加的突出。

碳化硅是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，氮化鎵則緊隨其後。與此同時，業界也在積極開發新的寬禁帶半導體材料。金剛石就是俗稱的“金剛鑽”，具有更寬的禁帶寬度，成為國際前沿研究熱點。