半導體加熱管原理

原理是:當把N型和P型半導體元件聯結成電偶對並在兩塊半導體上通上直流電時，電偶對的一端就會吸熱逐漸變冷，這一半導體端叫做冷端另一端會放熱變熱，稱為熱端. 是致冷還是加熱，以及致冷、加熱的速率，由通過它的電流方向和大小來決定. 機理主要是電荷載體在不同的材料中處於不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多餘的能量.反之，電荷載體從低能級的材料向高能級的材料運動時，需從外界吸收能量.

半導體加熱管是利用半導體空穴原理，實現電子氧空位，促使電子在場強條件下產生碰撞，使電能以面狀形式於工質的分子鍵結合轉化熱能。

剛開始，加熱管自身温度比較低，所以它的電阻比較小。但是，當通電的時間長一點以後，由於其自身是個電阻體，會有發熱功率，加熱管自身發熱，温度升高。温度升高導致電阻增加，會使發熱功率下降。當施加電壓增加，加熱管的發熱温度稍微增加，電阻增加，促使功率自動下降。這樣不會導致温度大幅上升。