複合中心和陷阱的區別

複合中心半導體中某些雜質和缺陷可以促進載流子複合，對非平衡載流子壽命的長短起決定性作用的雜質和缺陷稱為複合中心。作為複合中心的雜質與缺陷一般在禁帶中引入一個或幾個深能級，它們既可以俘獲電子又能俘獲空穴，從而促進複合過程。

陷阱中心這是一種深能級的雜質或缺陷。陷阱中心的特點就是俘獲一種載流子的作用特別強，而俘獲另一種載流子的作用特別弱，則陷阱中心具有存儲一種載流子的作用。