因為晶閘管 (可控硅 )可以看作是由三個 PN 結構成。 在晶閘管 (可控硅 )處於阻斷狀態下，因各層相距很近，其 J2 結結面相當於一個電容
晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表 明晶閘管(可控硅)在額定結温和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的最低 電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門 極信號的情況下開通。即使此時加於晶閘管(可控硅)的正向電壓低於其陽極峯值電壓，也可 能發生這種情況
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