N型或者P型半導體都是在原有的電中性硅基上摻雜電中性的三、五族原子。 所以整體還是呈電中性。
由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。