有用。
相對於前代IGBT,TRENCHSTOP 5 IGBT提高了性能,且能夠在高開關頻率下運行。同時還適用於在適當的佈局中直接替換開關頻率達100kHz的傳統高電壓MOSFET。在較高的開關頻率下運行能夠減少磁性元件的尺寸和電容器的數量。然而,由於較高的di/dt和dv/dt可能引發關斷時高壓過沖、導通時振盪或EMI數據降級等問題,舊款 IGBT並不總能找到簡單的“即插即用”替代品。