硅原子最外層電子的電子排布圖

硅原子(Si)最外層電子排布圖如圖所示:

硅原子的核外電子排布式為1s(2)2s(2)2p(6)3s(2)3p(2)，或者簡化為[Ne]3s(2)3p(2)，其中3s(2)3p(2)為硅原子的最外層電子排布式。

硅有明顯的非金屬特性，可以溶於鹼金屬氫氧化物溶液中，產生（偏）硅酸鹽和氫氣。

硅原子位於元素週期表第IV主族，它的原子序數為Z=14，核外有14個電子。電子在原子核外，按能級由低硅原子到高，由裏到外，層層環繞，這稱為電子的殼層結構。硅原子的核外電子第一層有2個電子，第二層有8個電子，達到穩定態。最外層有4個電子即為價電子，它對硅原子的導電性等方面起着主導作用。