當電流垂直於外磁場通過導體時，在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差，這一現象便是霍爾效應.這個電勢差也被叫做霍爾電勢差.
由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決於：Rh為霍爾常數，它與半導體材質有關IC為霍爾元件的偏置電流B為磁場強度d為半導體材料的厚度。對於一個給定的霍爾器件，Vh將完全取決於被測的磁場強度B。
霍爾電壓與哪些因素有關
霍爾電壓（一般稱霍爾電勢）的大小和方向與下述因素有關：
1、激勵電流I
2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量B
3、器件材料（決定靈明度係數K）
4、霍爾電勢的方向還與半導體是P型還是N型有關，兩者方向相反
設霍爾電勢為EH
則：EH=KIB
注：B為與電流垂直的磁感應強度分量
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