三極管工作在飽和區時,其發射結與集電結均為正偏。
對於小功率npn型硅管,呈現為vbe多0.7v(略大於工作在放大區時的數值),vbc>0v (不大於vbe的值)
對於小功率npn型鍺管,類似地有vbe≥0.2v(略大於工作在放大區時的值),vbc>ov (不大於vbe的值)。
對於pnp型的晶體管,上述電壓值的符號相反,即小功率的pnp型硅管,vbe≥-0.7v,vb<0v(不小於vbe的值小功率pnp型鍺管,vbe≤-2v,vbc<0v(不小於vbe的值)。
一般情況下,此時的vce≈0.3v(硅管)或 vce≈0.1v(鍺管),如果我們檢測出電路中的晶體三極管極間電壓符合上述情況,則可判斷該三極管工作在飽和區。
npn硅管如何判斷工作區域
對於NPN型硅三極管,當基極電壓高於發射極0.6V左右,集電極電壓高於發射極電壓0.4V以上且低於電源電壓時,該三極管處於放大狀態當基極電壓高於發射極0.4V以下或低於發射極電壓時,處於截止狀態當基極電壓高於發射極0.6V左右,集電極電壓高於發射極0.3V左右,處於飽和狀態。
2、對於PNP型硅三極管,當基極電壓低於發射極0.6V左右,集電極電壓低於發射極電壓0.4V以上且高於電源電壓時,該三極管處於放大狀態當基極電壓低於發射極0.4V以下或高於發射極電壓時,處於截止狀態當基極電壓低於發射極0.6V左右,集電極電壓低於發射極0.3V左右,處於飽和狀態。