7n60場效應管原理

原理場效應管7N60透過在絕緣層上投射電場來影響流過晶體管的電流。事實上，沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流很小。最常見的 FET 使用二氧化硅薄層作爲 GATE 極下的絕緣體。這種類型的晶體管稱爲金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管 (MOSFET)。由於MOS管7N60更小、更節能，因此在許多應用中已取代雙極型晶體管。