二極管b10性能 參數：穩壓範圍9.8~10.2V ，典型值10V ，電流5mA ，功率250mW。二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)製成的一種電子器件[1]。它具有單向導電性能，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導通和截止，則相當於開關的接通與斷開。
二極管參數符號：
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓温度係數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境温度的絕對變化之比
CTC---電容温度係數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流測穩壓二極管正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峯值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈衝電流。發光二極管極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極管起輝電流
IFRM---正向重複峯值電流
IFSM---正向不重複峯值電流（浪湧電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調製電流
IEM---發射極峯值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈衝電流
IP---峯點電流
Ⅳ---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峯值電流
IR（AV）---反向平均電流
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峯值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峯值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重複峯值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGF
品位站
