在MOS管中,漏極所接線是位線而柵極所接線就是字線。字線為高電平時T管導通,字線為低電平時則截止。
訪問SRAM時,字線(Word Line)加高電平,使得每個基本單元的兩個控制開關用的電晶體M,與M開通,把基本單元與位線(Bit Line)連通。位線用於讀或寫基本單元的儲存的狀態。雖然不是必須兩條取反的位線,但是這種取反的位線有助於改善噪聲容限。