15V-20V之間。IGBT導通後的管壓降與所加柵源電壓有關,在漏源電流一定的情況下,VCE越高,VDS也就越低,器件的導通損耗就越小,這有利於充分發揮IGBT的工作能力。
但是,VGE並非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高。IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。