igbt導通條件電壓

不同的IGBT導通壓降都不一樣，例如 低損耗的大於典型值為1.7~2.1V左右， 快速型 導通壓降大約2.7~3.7V左右。ⅠGBT是場控器件，它的開通和關斷由柵極和發射極間的電壓uGE決定，當uGE為正，且大於開啟電壓UGE(th)時，IGBT就可以導通當柵極與發射極間施加反向電壓或者不加信號時，IGBT就被關斷。