igbt的導通條件

IGBT是場控器件，它的開通和關斷由柵極和發射極間的電壓uGE決定，當uGE為正，且大於開啟電壓UGE(th)時，IGBT就可以導通當柵極與發射極間施加反向電壓或者不加信號時，IGBT就被關斷。

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

igbt的導通條件

它的開通和關斷由柵極和發射極間的電壓uGE決定，當uGE為正，且大於開啟電壓UGE(th)時，IGBT就可以導通當柵極與發射極間施加反向電壓或者不加信號時，IGBT就被關斷。 絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。