IGBTMOS管的工作原理: IGBT由柵極G、發射極E和集電極C三個極控制。 IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。