n型和p型電導率區別

相同雜質濃度下，P型半導體電阻率是小於N型半導體電阻率的，因為P型半導體主要依靠空穴導電，N型半導體主要依靠電子導電。而在半導體內，空穴的遷移率遠遠小於電子的遷移率，常温下，硅中空穴遷移率為450cm/V/S，電子遷移率為1450cm/V/S，所以P型半導體表現出的電阻率比N半導體大得多。舉例來説，硅體內摻相同劑量的磷和硼，比如1E15cm-3，則摻磷的N型半導體的電阻率為3~5歐姆釐米，而摻硼的P型半導體電阻率則為10~15歐姆釐米。