氮化鎵和硅基區別

這兩種材料的區別如下：(1)物質不同：氮化鎵是一種非金屬氮化物。然而，硅基是一種二氧化硅材料。

(2)分子量不同：氮化鎵的分子量大，然而，硅基的分子量較小。

(3)用途不同：氮化鎵是半導體材料，然而，硅基則是晶體管基體材料。

區別在於：

硅基的氮化鎵比碳基的氮化鎵在線性度上有不同的顯現，可對基站的複雜信號進行數字調製。 

在產能上，碳基氮化鎵由於材料特性，不支持大的晶圓，而硅基氮化鎵材料支持大晶圓的特性，有利於電路的擴展和集成，未來有可能在相關領域取代碳化硅基。 

碳基氮化鎵器件是以碳化硅（SiC）做襯底。硅基氮化鎵工藝的襯底採用硅基。

硅基氮化鎵器件工藝能量密度高、可靠性高，Wafer可以做的大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，晶圓的長度可以拉長至2米，無論在產能和成本方面，硅基氮化鎵器件有優勢些。

氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統硅基半導體更強。 氮化鎵相比傳統硅基半導體，有着更加出色的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，還有更高的工作温度。

由於GaN器件比硅具有更好的熱導率和更高的温度，因此，電源的整體尺寸可能顯著減小，可以減少對熱管理組件的需求，如大型散熱器、機架或風扇。移除這些內部元件，以及增加的開關頻率，使得電源不僅更輕，而且更緊湊。