光電倍增效應是指

光電倍增效應又叫雪崩倍增效應。

指如果碰撞電離過程發生很頻繁，不斷產生出電子-空穴對，這是一系列相繼的連鎖過程，瞬間即可產生出大量的電子-空穴對--雪崩倍增效應。這是導致材料和器件發生擊穿的一種重要機理。

雪崩倍增效應的強弱用雪崩倍增因子M來表示。對於p-n結，當輸出電流與輸入電流之比為無窮大(即M趨於無窮大)時即產生雪崩擊穿如果採用電子和空穴的電離率(在1cm路程上所產生的電子-空穴對的數目)來描述擊穿的話，就是當電離率在勢壘區中的積分等於1時即發生擊穿。這些就是p-n結髮生擊穿的條件。但是存在倍增效應並不意味着一定會擊穿。因為如果不滿足擊穿條件的話，就不會擊穿。