浸潤式光刻機原理

浸沒式光刻技術需要在光刻機投影物鏡最後一個透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體。

浸沒式光刻機工作時並不是把晶圓完全浸沒在水中，而只是在曝光區域與光刻機透鏡之間充滿水。

光刻機的鏡頭必須特殊設計，以保證水隨着光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動，沒有泄露水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下，水的折射率是1.44，可以實現NA大於1。

該技術的原理便是通過水的折射作用將光源波長變短，也就是將193nm光源折射為134nm光源，這樣就能實現光刻機整體工藝的升級，達到最高可生產10nm級別芯片的能力。