lpcvd工藝原理

原理如下

     lpcvd工藝原理也是半導體行業中的一種標準工藝，CVD工藝製備光波導的流程，它是在硅基片（或者石英基片）上相繼沉積具有不同摻雜層的光波導層，比如芯層通過摻磷、硼來提高折射率，包層通過摻鍺來降低折射率。

     在沉積芯層之後與沉積上包層之前，需要通過光刻工藝來製備掩膜層，定義光波導圖形。

     在每一層沉積之後，都需要退火硬化工藝來增強沉積層的緻密度和均勻性，並減小應力。