高温磷酸去除氮化硅原理

     高温磷酸去除氮化硅原理：用熱磷酸濕法刻蝕法去除氮化硅。

      將８５％濃磷酸和１５％去離子水（ＤＩＷ）配成並保持在１６０℃的温度下混合液體進行刻蝕，熱磷酸刻蝕之後的芯片一般採用對鍍膜後的硅片進行熱去離子水清洗除膜，從而去除氮化硅。