dish效應

應該是DIBL效應。

定義

    DIBL效應是漏端引入的勢壘降低（DIBL，Drain Induced Barrier Lowering）效應，指的是小尺寸場效應晶體管（FET）中所出現的一種不良現象。

    這是小尺寸場效應晶體管（FET）中所出現的一種不良現象，即是當溝道長度減小、電壓Vds增加、使得漏結與源結的耗盡層靠近時，溝道中的電力線可以從漏區穿越到源區，並導致源極端勢壘高度降低，從而源區注入到溝道的電子數量增加，結果漏極電流增加。溝道長度越短，DIBL效應就越嚴重。

     實際上，DIBL效應往往與溝道長度調製效應同時發生，因為這些效應都是小尺寸場效應晶體管中容易出現的問題。