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发表于:2024-02-27
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,漏极到源极加上正电压,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以电流是漏极流到源...
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发表于:2024-02-04
MOS管经常用于电路的开关控制,通过改变栅极(gate)的电压来使漏级(drain)和源级(source)导通或截断。MOS管栅极悬空:Vg输入高时,N管会导通,使得P管的栅极为低,P管的DS导通。Vg为高阻态时,Vout...
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发表于:2023-12-31
NMOS晶体管的工作原理:在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可以动空穴)上,制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源),并用金属铝引出两个电极,分别作漏...
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发表于:2024-02-27
高电平输入,输出为低电平低电平输入,输出为高电平。导电沟道的形成当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达...