三氯氫硅合成工藝流程

包括:液氯汽化、氯化氫合成、三氯氫硅合成、合成尾氣回收。 

來自液氯庫的氯氣和來自氫氧站的氫氣或幹法回收的氫氣，各自控制其緩衝罐的壓力在0.15MPa，按照1∶1.05～1.1(摩爾 比)配比在氯化氫合成爐內混合燃燒，生成氯化氫氣體，合成爐表面温度控制在300～350℃左右氯化氫經過空冷、水冷、 霧沫分離、-35℃深冷、霧沫分離等措施，此時氯化氫的含量達到95%以上，含水量在1‰以下，然後進入氯化氫緩衝罐。