帕爾貼效應原理

帕爾帖效應，是由法國物理學家Jean Charles Athanase Peltier在1834年首次發現的。

帕爾貼效應原理：當有電流通過不同的導體組成的迴路時，除產生不可逆的焦耳熱外，在不同導體的接頭處隨着電流方向的不同會分別出現吸熱、放熱現象，當改變電流方向時，放熱和吸熱的接頭也隨之改變，吸收和放出的熱量與電流強度成正比，且與兩種導體的性質及熱端的温度有關，即： Qab=Iπab

根據珀耳帖效應可以製造半導體制冷元件。珀耳帖效應、塞貝克效應和 湯姆孫效應(Thomson effect)三者合稱熱電效應。 

帕爾貼效應是指當有電流通過不同的導體組成的迴路時，除產生不可抄逆的焦耳熱外，在不同導體的接頭處隨着電流方向的不同會分別出現吸熱、放熱現象。

這是J.C.A.珀耳帖在1834年發現的。

如果電流通過導線由導體1流向導體2，則在單位時間內，導體1處單位面積吸收的熱量與通過導體1處的電流密度成正比。

簡單可以理解為：外加電場作用下，電子發生定向運動，將一部分內能帶到電場另一端。

半導知體制冷原理是當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料聯結成的熱電偶對中有電流通過時，兩端之間就會產生熱量轉移，熱量就會從一端轉移到另一端，從而產生温差形成冷熱端。但是半導體自身存在電阻當電流經過半導體時就會產生熱量，從而會影響熱傳遞。而且兩個極板之間的熱量也會通過空氣和半導體材料自身進行逆向熱傳遞。當冷熱端達到一定温差，這兩種熱傳遞的量相等時，就會達到一個平衡點，正逆向熱傳遞相互抵消。此時冷熱端的温度就不會繼續發生變化。為了道達到更低的温度，可以採取散熱等方式降低熱端的温度來實現。