芯片前端工藝流程

     1.製作晶圓。使用晶圓切片機將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。

2.晶圓塗膜。在晶圓表面塗上光阻薄膜，該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐温能力。

3.晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡後照射到晶圓塗膜上，使其軟化，然後使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。

4.離子注入。使用刻蝕機在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，並注入離子，形成PN結（邏輯閘門）然後通過化學和物理氣象沉澱做出上層金屬連接電路。

5.晶圓測試。經過上面的幾道工藝之後，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。