優點:1、靶材粒子能量高(比熱蒸發高出1個數量級),所製備膜層更緻密,與基板結合力更高
2、一般備有輔助離子源,可以用來清洗基板,清洗效果好
3、易於製備熔點高的材料
4、製備合金膜層,可以保證膜層材料比例與靶材相同
5、由於裝有中和器,也可以用來製備絕緣膜層
缺點:1、一般鍍膜速率較慢,幾十埃每秒
2、離子源清理和中和器燈絲更換較頻繁
3、不適宜製備較大面積薄膜