硅基芯片特性

硅基半導體芯片遵循摩爾定律的預測，芯片性能每隔 18-24 個月便會提升一倍。

但隨着芯片尺寸不斷縮小，特別是工藝水平進入 5 納米級以後，硅芯片發展開始面臨更加突出的短溝道效應、強場效應、薄氧化層的隧穿效應和功率耗散增加等一系列材料、工藝、技術、器件和系統方面的物理限制。