中國光刻機最快突破時間

需要3年左右

中國想要生產5nm的光刻機有一個最大的難點，就是自主研發。這不光意味着我們需要跨越從28nm到5nm這個巨大的障礙，並且在突破的過程中最好不要使用其他國家的專利，只能發展出一條屬於自己的光刻機道路。

14nm的光刻機這一兩年就好了，這樣解決了目前緊追的量產芯片問題，接下來用五年左右的時間突破5nm光刻機，逐步趕超美國，大約用十至二十年時間達到世界先進水平

預計2021-2022年交付第一台28nm工藝的國產沉浸式光刻機。配合中芯國際對晶圓代工、封測技術的積澱，足以可見中國半導體技術的飛躍式發展。