金剛石為什麼是半導體

金剛石材料具備載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強大等特性，是製造大功率、高温、高頻器件的理想材料，由於它的帶隙寬、熱導率高、擊穿電場強、極高的電荷遷移率（CVD金剛石的電子遷移率>3000cm2/V.s），使得金剛石半導體器件能夠在高頻、高功率、高電壓以及強輻射等十分惡劣的環境中運行，被稱為“終極半導體材料”。

此外，從紫外到遠紅外很寬的波長範圍內金剛石具有很高的光譜透射性能，是大功率紅外激光器和探測器的光學窗口材料。同時，它又具有抗酸、抗鹼、抗各種腐蝕氣體侵蝕的性能，是優良的耐蝕材料。